Samsung đầu tư 15 tỷ USD cho trung tâm công nghệ bán dẫn
Các lãnh đạo tập đoàn Samsung dự sự kiện động thổ khu phức hợp |
Cơ sở được xây dựng tại Giheung (Yongin, tỉnh Gyeonggi, Hàn Quốc). Theo báo chí Hàn Quốc, Samsung đầu tư 20 nghìn tỷ won (khoảng 15 tỷ USD) cho trung tâm mới, dự kiến khánh thành năm 2028.
Phó chủ tịch Samsung Electronics Lee Jae-yong có mặt tại lễ khởi công tổ chức tuần trước. Hơn 100 quan chức khác của Samsung gồm Giám đốc công nghệ Jeong Eun-Seung, Jin Kyo-Young (Chủ tịch SAIT), Lee Jeong-Bae (Giám đốc bộ phận Kinh doanh chip nhớ), Siyoung Choi (Chủ tịch Samsung Foundry) và Yong-In Park (Chủ tịch hệ thống LSI) và các nhân viên có mặt trong buổi lễ.
Phó chủ tịch Samsung Lee Jae-yong (bên phải) lần đầu xuất hiện trước công chúng sau lệnh ân xá |
Đây là động thái đầu tiên của Lee Jae-yong kể từ khi ông này nhận được lệnh ân xá của tổng thống. Vị Phó chủ tịch được khôi phục lại hoàn toàn quyền lực ở Samsung, sau khi mãn hạn tù vì tham gia vụ hối lộ quan chức cấp cao.
“Chúng tôi cần duy trì truyền thống đầu tư đón đầu và tập trung vào công nghệ”, ông Lee Jae-yong phát biểu trong buổi lễ.
Vị này sau đó gặp gỡ các nhân viên làm việc ở bộ phận bán dẫn của Samsung. Ông Lee Jae-yong cũng họp riêng các giám đốc điều hành để chia sẻ về chủ đề đảm bảo vị trí dẫn đầu về bán dẫn của Samsung trong tương lai.
Cơ sở Giheung là địa điểm Samsung bắt đầu sản xuất chip bán dẫn đầu tiên của hãng hơn 40 năm trước. Đây cũng là nơi sản xuất DRAM 64MB đầu tiên vào năm 1992.
Trung tâm R&D tại đây có diện tích 109.000 m2, đóng vai trò là “bộ não” quan trọng của công ty về công nghệ bán dẫn như thiết kế chip, hệ thống fabless, xưởng đúc và bộ nhớ.
Bộ phận chip của Samsung đóng góp đáng kể vào thành công của công ty trong vài năm qua, đặc biệt kể từ khi khủng hoảng bán dẫn sau đại dịch COVID-19. Mảng này đóng góp 2/3 lợi nhuận hoạt động của công ty trong quý 2/2022. Samsung mới đây cũng bắt đầu sản xuất hàng loạt chip 3 nm đầu tiên trên thế giới, vượt lên trước đối thủ lớn nhất TSMC của Đài Loan.
Cấu trúc GAA của chip 3 nm Samsung cũng được cho là vượt trội so với quy trình FinFET được TSMC áp dụng, đem đến hiệu suất và khả năng tiết kiệm năng lượng. Tuy vậy, tờ Business Korea cho rằng hiện tại, các hãng bán dẫn hàng đầu như Samsung, TSMC phải giải quyết bài toán năng lực sản xuất để cung cấp số lượng lớn sản phẩm ra thị trường, thay vì “so đo” về công nghệ trong giai đoạn này.
Trong tương lai, cả Samsung và TSMC đều nâng cấp cấu trúc cho tiến trình 3 nm, khiến khoảng cách về công nghệ giữa hai hãng “không có nhiều sự khác biệt”.